實際上,可控硅模塊元件的結溫不容易直接測量,因此不能用它作為是否超溫的判據。通過控制模塊底板的溫度(即殼溫Tc)來控制結溫是一種有效的方法。由于PN結的結溫Tj和殼溫Tc存在著一定的溫度梯度,知道了殼溫也就知道了結溫,而相當高殼溫Tc是限定的,由產品數據表給出。借助溫控開關可以很容易地測量到與散熱器接觸處的模塊底板溫度(溫度傳感元件應置于模塊底板溫度相當高的位置)。從溫控天關測量到的殼溫可以判斷模塊的工作是否正常。若在線路中增加一個或兩個溫度控制電路,分別控制風機的開啟或主回路的通斷(停機),就可以有效地晶閘管模塊在額定結溫下正常工作。
需要指出的是,溫控開關測量到的溫度是模塊底板表面的溫度,易受環境,菏澤反并聯可控硅模塊供應商、空氣對流的影響,與模塊和散熱器的接觸面上的溫度Tc,菏澤反并聯可控硅模塊供應商,還有一定的差別(大約低幾度到十幾度),菏澤反并聯可控硅模塊供應商,因此其實際控制溫度應低于規定的Tc值。用戶可以根據實際情況和經驗決定控制的溫度。 淄博正高電氣有限公司不斷從事技術革新,改進生產工藝,提高技術水平。菏澤反并聯可控硅模塊供應商
正高可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽A、陰K、控制G三個引出腳。雙向可控硅有兩個陽:一陽A1(T1),二陽A2(T2)、控制G三個引出腳。
只有當單向可控硅陽A與陰K之間加有正向電壓,同時控制G與陰間加上所需的正向觸發電壓時,方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態,陽A與陰K間壓降約1V。單向可控硅導通后,控制器G即使失去觸發電壓,只要陽A和陰K之間仍保持正向電壓,單向可控硅繼續處于低阻導通狀態。只有把陽A電壓拆除或陽A、陰K間電壓性發生改變(交流過零)時,單向可控硅才由低阻導通狀態轉換為高阻截止狀態。單向可控硅一旦截止,即使陽A和陰K間又重新加上正向電壓,仍需在控制G和陰K間有重新加上正向觸發電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態相當于開關的閉合與斷開狀態,用它可制成無觸點開關。 菏澤反并聯可控硅模塊供應商淄博正高電氣有限公司通過的知識和可靠技術為客戶提供服務。
選擇可控硅模塊的主要參數可控硅模塊的主要參數應根據應用電路的具體要求而定。
所選可控硅模塊應留有一定的功率裕量,其額定峰值電壓和額定電流(通態平均電流)均應高于受控電路的較大工作電壓和較大工作電流1.5~2倍。
可控硅模塊的正向壓降、門觸發電流及觸發電壓等參數應符合應用電路(指門的控制電路)的各頂要求,不能偏高或偏低,否則會影響可控硅模塊的正常工作。
上就是可控硅模塊在不同設備中的種類選擇,希望對您有所幫助。
可控硅模塊的應用領域
可控硅模塊應用于溫度控制、調光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子弧、逆變電源等需要調節和改變電能的場合,如工業、通信、電力系統、電力系統等及其它各種電控、電源等,根據此也可通過模塊的控制端口與多功能控制板相連,完成電流穩定、電壓穩定和軟啟動。并可結束過流、過電壓、過溫、缺乏平衡維護功能。
可控硅模塊由于它在電路應用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優點,自上個世紀六十長代以來,獲得了迅猛發展,并已形成了一門獨立的學科。
可控硅模塊發展到現在,在工藝上已經非常成熟,品質更好,成品率大幅提高,并向高壓大電流發展。 淄博正高電氣有限公司愿與各界朋友攜手共進,共創未來!
可控硅模塊又叫晶閘管,自從20世紀50年代問世以來已經發展成了一個大的家族,它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管,等等,F在大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說的普通晶閘管,它是由四層半導體材料組成的,有三個PN結,對外有三個電:層P型半導體引出的電叫陽A,第三層P型半導體引出的電叫控制G,第四層N型半導體引出的電叫陰K。從晶閘管的電路符號可以看到,它和二管一樣是一種單方向導電的器件,關鍵是多了一個控制G,這就使它具有與二管完全不同的工作特性。淄博正高電氣有限公司具備雄厚的實力和豐富的實踐經驗。菏澤反并聯可控硅模塊供應商
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單向可控硅模塊有陽A、陰K、控制G三個引出腳。雙向可控硅有一陽A1(T1),二陽A2(T2)、控制G三個引出腳。 只有當單向可控硅陽A與陰K之間加有正向電壓,同時控制G與陰間加上所需的正向觸發電壓時,方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態,陽A與陰K間壓降約1V。
單向可控硅導通后,控制器G即使失去觸發電壓,只要陽A和陰K之間仍保持正向電壓,單向可控硅繼續處于低阻導通狀態。只有把陽A電壓拆除或陽A、陰K間電壓性發生改變(交流過零)時,單向可控硅才由低阻導通狀態轉換為高阻截止狀態。單向可控硅一旦截止,即使陽A和陰K間又重新加上正向電壓,仍需在控制G和陰K間有重新加上正向觸發電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態相當于開關的閉合與斷開狀態,用它可制成無觸點開關。 菏澤反并聯可控硅模塊供應商
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