可控硅模塊采用陶瓷覆銅工藝，電流承載能力大，新疆高壓可控硅模塊配件，熱循環(huán)負載次數是國標的進10倍，焊接工藝獨特，絕緣強度高，導熱性能好。可控硅模塊的工作場所應干燥、無性氣體、通風、無塵，環(huán)境溫度范圍-25℃--45℃，下面為大家介紹可控硅模塊的安裝步驟：  1、散熱器和風機按通風要求裝配于機箱合適位置。散熱器表面必須平整光潔。在模塊導熱底板與散熱器表面均勻涂覆一層導熱硅脂，然后用螺釘把模塊固定于散熱器上，四個螺釘用力要均等。

  2、用接線端頭環(huán)帶將銅線扎緊，浸錫，套上絕緣熱縮管，用熱風或熱水加熱收縮，導線截面積按電流密度<4A/mm2選取，禁止將銅線直接壓接在可控硅模塊電上。

  3、 將接線端頭平放于可控硅模塊電上用螺釘緊固，保持良好的平面壓力接觸。

  4，新疆高壓可控硅模塊配件，新疆高壓可控硅模塊配件、可控硅模塊的電易掀起折斷，接線時應防止重力將電拉起折斷。 淄博正高電氣有限公司過硬的產品質量、的售后服務、認真嚴格的企業(yè)管理，贏得客戶的信譽。新疆高壓可控硅模塊配件

正高可控硅擁有體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝；結構重復性好，裝置的機械設計可以簡化，價格比分立器件低等諸多優(yōu)點，受到了眾多客戶的喜愛和歡迎。目前，正高可控硅以其穩(wěn)定的性能等特點，應用于各行業(yè)，暢銷省內外地區(qū)。 

可控硅模塊的分類   

可控硅模板從X芯片上看，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類，從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等。 新疆高壓可控硅模塊配件淄博正高電氣有限公司以創(chuàng)百年企業(yè)、樹百年為使命，傾力為客戶創(chuàng)造更大利益！

可控硅鑒別三個的方法很簡單，根據P-N結的原理，用萬用表測量一下三個之間的電阻值就可以判斷出來。

  陽與陰之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽和控制之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽和控制正反向都不通）。

  控制與陰之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制二管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制反向電阻比較小，并不能說明控制特性不好。另外，在測量控制正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制反向擊穿。

  若測得元件陰陽正反向已短路，或陽與控制短路，或控制與陰反向短路，或控制與陰斷路，說明元件已損壞。

可控硅模塊設備相信大家都已經熟悉并了解了，在您了解的知識中，您知道可控硅模塊的導通條件是什么嗎？下面正高電氣來講解一下。

可控硅模塊的工作條件：

1.當可控硅模塊承受反向陽電壓時，不管門級承受哪種電壓，可控硅模塊都會處于斷開狀態(tài)。

2.當可控硅模塊經歷正向陽電壓時，可控硅在門級受到正向電壓時接通。

3.當可控硅模塊導通時，只需要有一定的正電壓，不管門電壓怎樣，可控硅模塊都保持導通，如果可控硅導通后，門將失去其功能。

4..當可控硅模塊導通時，主電路電壓(或電流)減小到接近零時，可控硅模塊關斷。 淄博正高電氣有限公司堅持“顧客至上，合作共贏”。

過電壓會對可控硅模塊造成損壞，如果要想保護可控硅不受其損壞，就要了解過電壓的產生原因，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過電壓產生的原因。

可控硅模塊對過電壓非常敏感，當正向電壓超過udrm值時，可控硅會誤導并導致電路故障；當施加的反向電壓超過urrm值時，可控硅模塊會立即損壞。因此，需要研究過電壓產生的原因和過電壓的方法。

過電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲能的急劇變化，使系統(tǒng)轉換太晚，或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現，由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型，如雷擊和開關開啟和關閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動作產生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰，對可控硅模塊非常危險。

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可控硅模塊的作用和優(yōu)勢大家都知道，它的應用范圍是非常廣的，在不同設備上的使用方法也是不一樣的，那么在整流電路中可控硅模塊的使用方法是什么呢？下面正高來講一下在整流電路中可控硅模塊的使用方法。

在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導通，只有在U2處于正半周，在控制外加觸發(fā)脈沖Ug時，可控硅模塊被觸發(fā)導通。只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早，可控硅模塊導通的時間就早；Ug到來得晚，可控硅模塊導通的時間就晚。 新疆高壓可控硅模塊配件

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