構(gòu)成一個(gè)PNP型三管和一個(gè)NPN型三管的復(fù)合管圖2當(dāng)晶閘管承受正向陽電壓時(shí)，為使晶閘管導(dǎo)銅，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用，山東MTDC55晶閘管智能模塊結(jié)構(gòu)。圖2中每個(gè)晶體管的集電電流同時(shí)就是另一個(gè)晶體管的基電流。因此，兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路，當(dāng)有足夠的門機(jī)電流Ig流入時(shí)，就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通。設(shè)PNP管和NPN管的集電電流相應(yīng)為Ic1和Ic2；發(fā)射電流相應(yīng)為Ia和Ik；電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設(shè)流過J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽電流等于兩管的集電電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門電流為Ig,則晶閘管陰電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1一1）式硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射電流的改變而急劇變化如圖3所示。當(dāng)晶閘管承受正向陽電壓，而門未受電壓的情況下，式（1一1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶閘管的陽電流Ia≈Ic0晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管在正向陽電壓下，山東MTDC55晶閘管智能模塊結(jié)構(gòu)，從門G流入電流Ig，山東MTDC55晶閘管智能模塊結(jié)構(gòu),由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的電電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié)。

模塊內(nèi)部晶閘管主要參數(shù)

（1）正反向峰值耐壓：≥1400V；

（2）di／dt：100A／μs；

（3）dv／dt：500V／μs

晶閘管智能模塊的應(yīng)用方法

模塊的控制功能端口

模塊可應(yīng)用于各行各業(yè)需要對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場合。如變壓器調(diào)壓；加熱行業(yè)調(diào)溫；金屬加工行業(yè)的電鍍、電解；電源行業(yè)電池充放電、電源穩(wěn)壓；電磁行業(yè)的勵(lì)磁以及各行業(yè)使用的直流電機(jī)調(diào)速、交流電機(jī)軟起動(dòng)等。

模塊如何使用？

模塊的使用非常簡單，只需用一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號(hào)即可對(duì)模塊輸出電壓的大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié)，從而實(shí)現(xiàn)弱電對(duì)強(qiáng)電的控制。

電壓或電流信號(hào)可取自各種控制儀表、計(jì)算機(jī)D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種方法。控制信號(hào)可以有0～5V，0～10V，4～20mA，0～10mA四種形式。

+12V：外接 +12V直流電源正。

GND：直流電源地線。

GND1: 控制信號(hào)地線，與GND 相通。

CON10V: 0～10V 控制信號(hào)輸入

TESTE：檢測電源,方便用戶檢測模塊功能時(shí)用。可外接 4.7K～20K電位器，取出0～10V 信號(hào)。

CON20mA：4～20mA控制信號(hào)輸入

晶閘管智能模塊的輸出特性

模塊的控制電壓與控制角α的關(guān)系因負(fù)載性質(zhì)和電路形式的不同而有所區(qū)別：

單相交流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí)，α有效范圍為0°～ 180°，控制電壓對(duì)應(yīng)0.5V～9.5V。

單相整流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí)，α有效范圍為0°～180°，控制電壓對(duì)應(yīng)0.5V～9.5V；感性負(fù)載時(shí)α范圍為0°～90°，控制電壓對(duì)應(yīng)于5V～9.5V。

三相全控整流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí)，α有效范圍為0°～120°，控制電壓對(duì)應(yīng)2V～8V；感性負(fù)載時(shí)α范圍為0°～90°，控制電壓對(duì)應(yīng)于3.5V～8V。

三相半控整流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí)，α有效范圍為0°～180°，控制電壓對(duì)應(yīng)0.5V～9.5V。

三相全控交流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí)，α有效范圍為0°～150°，控制電壓對(duì)應(yīng)1.5V～9V。

三相半控交流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí)，α有效范圍為0°～210°，控制電壓對(duì)應(yīng)0.5V～9.5V。

三相整流充放電模塊逆變放電時(shí)，α有效范圍為90°～180°，控制電壓對(duì)應(yīng)0.5V～5V；整流充電時(shí)，α有效范圍為0°～90°，控制電壓對(duì)應(yīng)5V～9.5V。

注：交流調(diào)壓模塊用于感性負(fù)載時(shí)α應(yīng)大于負(fù)載阻抗角Ψ，即α≥Ψ；當(dāng)α≤Ψ時(shí)，模塊已輸出較大電壓，且不再隨α的改變而變化。