3）換相沖擊電壓包括換相過電壓和換相振蕩過電壓。換相過電壓是由于晶閘管的電流降為0時器件內(nèi)部各結(jié)層殘存載流子復合所產(chǎn)生的，所以又叫載流子積蓄效應(yīng)引起的過電壓。換相過電壓之后，出現(xiàn)換相振蕩過電壓，它是由于電感、電容形成共振產(chǎn)生的振蕩電壓，其值和換相結(jié)束后的反向電壓有關(guān)。反向電壓越高，換相振蕩過電壓也越大。針對形成過電壓的不同原因，可以采取不同的方法，如減少過電壓源，并使過電壓幅值衰減；過電壓能量上升的速率，延緩已產(chǎn)生能量的消散速度，遼寧小功率晶閘管模塊作用，增加其消散的途徑；采用電子線路進行保護等。常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散，常稱之為吸收回路或緩沖電路。（4）阻容吸收回路通常過電壓均具有較高的頻率，因此常用電容作為吸收元件，為防止振蕩，常加阻尼電阻，構(gòu)成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在電路的交流側(cè)，遼寧小功率晶閘管模塊作用、直流側(cè)，或并接在晶閘管的陽和陰之間。吸收電路比較好選用無感電容，接線應(yīng)盡量短。。5）由硒堆及壓敏電阻等非線性元件組成吸收回路上述阻容吸收回路的時間常數(shù)RC是固定的，有時對時間短、峰值高、能量大的過電壓來不及放電，遼寧小功率晶閘管模塊作用，過電壓的效果較差。因此，一般在變流裝置的進出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件。
晶閘管模塊通常包含一個或多個晶閘管，并且還可能包含二管等其他半導體設(shè)備。它們具有一個電氣隔離基板，這樣可以使其他元件安裝在同一散熱片上。這樣可簡化系統(tǒng)安裝、包裝和冷卻。晶閘管模塊的工作原理是什么？晶閘管模塊可用作開關(guān)，在持續(xù)電流達到設(shè)定值時開啟。它們持續(xù)導電（接通），直到設(shè)備電壓反向為止。這些模塊由P和N（正和負）型半導體交替層疊，形成四層半導體材料。它們設(shè)計用于中、高電流電源的控制應(yīng)用，功能與硅控制設(shè)備相同。晶閘管模塊可循環(huán)額定電壓和電流較高的大功率電源。晶閘管模塊的應(yīng)用晶閘管模塊可用于各種應(yīng)用，其中包括：交流電動機驅(qū)動電源熱/溫度控制（例如化學過程和大型商業(yè)烤箱）電焊機照明控制大型IGBT前端電路電池充電器直流制動橋接電路。
500Vdc）比較大容抗10pf使用溫度范圍-30℃~+75℃電網(wǎng)頻率47-63Hz㈥不同電流等級的固體繼電器的外形㈦LSR的輸入驅(qū)動電路在邏輯電路驅(qū)動時應(yīng)盡可能采用低電平輸出進行驅(qū)動，以有足夠的帶負載能力和盡可能低的零電平。下圖為正確的灌電流驅(qū)動的電路圖（一般適合于D3、D2型）：D1型（4-8Vdc）通常與單相或三相LSR移相觸發(fā)器配合使用。A3型（90-430Vac）為交流控制交流型，在90-430Vac寬的范圍內(nèi)均能可靠觸發(fā)繼電器導通，且輸入與輸出沒有相位要求：㈧LSR過壓的保護：除LSR內(nèi)部本身有RC吸收回路保護外，還可以采取并聯(lián)金屬氧化物壓敏電阻（MOV），MOV面積大小決定吸收功率，MOV的厚度決定保護電壓值。一般220V系列LSR可選取500V-600V的壓敏電阻，380V系列SSR可選取800V-900V的壓敏電阻，480V系列SSR可選取1000V-1100V的壓敏電阻。㈨LSR的功率擴展：本公司生產(chǎn)的2A、8A無RC吸收回路的LSR可用于任何大電流等級的可控硅觸發(fā)，功率擴展后仍具有過零特性或隨機特性。功率擴展LSR的型號為：LSR-3P02E（D3/D2/D1/A3），LSR-3P08E（D3/D2/D1/A3）。
