可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域

該智能模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合，如工業(yè)、通訊、等各類電氣操控、電源等，依據(jù)還可經(jīng)過模塊的操控端口與多功用操控板聯(lián)接，結(jié)束穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動(dòng)等功用，并可結(jié)束過流，濟(jì)南可控硅模塊分類、過壓、過溫、缺持平維護(hù)功用，濟(jì)南可控硅模塊分類。

可控硅模塊的操控辦法

經(jīng)過輸入模塊操控接口一個(gè)可調(diào)的電壓或許電流信號(hào)，經(jīng)過調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)模塊的輸出電壓大小進(jìn)行滑潤調(diào)度，結(jié)束模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或悉數(shù)導(dǎo)通的進(jìn)程。

電壓或電流信號(hào)可取自各種操控外表，濟(jì)南可控硅模塊分類、核算機(jī)D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種辦法；操控信號(hào)選用0～5V，0～10V，4～20mA三種對(duì)比常用的操控辦法。

斷一個(gè)可控硅元件是否完好，工程師需要從四個(gè)方面進(jìn)行檢查，先是判斷該元件的三個(gè)PN結(jié)應(yīng)完好，其次是當(dāng)陰與陽間電壓反向連接時(shí)能夠阻斷不導(dǎo)通，第三是當(dāng)控制開路時(shí)，陽與陰間的電壓正向連接時(shí)也不導(dǎo)通，第四是給控制加上正向電流，給陰與陽加正向電壓時(shí)，可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通，把控制電流去掉后仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。滿足以上四個(gè)條件的可控硅元件，才是符合設(shè)計(jì)使用要求的。

  想要看一個(gè)可控硅元件是否符合以上要求，其實(shí)非常簡(jiǎn)單，只需要用萬用表的歐姆擋測(cè)量可控硅的間電阻，就可對(duì)前三個(gè)方面的好壞進(jìn)行判斷。具體的操作方法是：用R×1k或R×10k擋測(cè)陰與陽之間的正反向電阻(控制不接電壓)，此兩個(gè)阻值均應(yīng)很大。電阻值越大，表明正反向漏電電流愈小。如果測(cè)得的阻值很低，或近于無窮大，說明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開路，此可控硅不能使用了。

單向可控硅模塊有陽A、陰K、控制G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有一陽A1(T1)，二陽A2(T2)、控制G三個(gè)引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽A與陰K之間加有正向電壓，同時(shí)控制G與陰間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽A與陰K間壓降約1V。

單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽A和陰K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽A電壓拆除或陽A、陰K間電壓性發(fā)生改變(交流過零)時(shí)，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽A和陰K間又重新加上正向電壓，仍需在控制G和陰K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài)，用它可制成無觸點(diǎn)開關(guān)。